LSAT Substrat
Təsvir
(La, Sr) (Al, Ta) O 3 nisbətən yetkin qeyri-kristal perovskit kristalıdır, yüksək temperaturlu superkeçiricilər və müxtəlif oksid materialları ilə yaxşı uyğunlaşır.Lantan alüminatı (LaAlO 3) və stronsium titanatın (SrO 3) çoxlu sayda praktik tətbiqlərdə nəhəng maqnitoelektriklərdə və superkeçirici cihazlarda əvəz ediləcəyi gözlənilir.
Xüsusiyyətlər
| Artım metodu | CZ artımı |
| Kristal sistemi | kub |
| Kristaloqrafik qəfəs sabiti | a= 3.868 A |
| Sıxlıq（g/sm3) | 6.74 |
| Ərimə nöqtəsi （℃） | 1840 |
| Sərtlik (Mho) | 6.5 |
| İstilikkeçirmə | 10x10-6K |
LaAlO3 Substrat Tərifi
LaAlO3 substratı müxtəlif digər materiallardan nazik təbəqələrin yetişdirilməsi üçün elmi və texnoloji tətbiqlərdə substrat və ya əsas kimi istifadə olunan xüsusi materiala aiddir.O, lantan alüminatın (LaAlO3) kristal quruluşundan ibarətdir ki, bu da nazik təbəqənin çökməsi sahəsində geniş istifadə olunur.
LaAlO3 substratları yüksək kristallik keyfiyyəti, bir çox digər materiallarla yaxşı qəfəs uyğunsuzluğu və epitaksial böyümə üçün uyğun səth təmin etmək qabiliyyəti kimi nazik təbəqələrin böyüməsi üçün onları arzuolunan edən xüsusiyyətlərə malikdir.
Epitaksial, yüksək nizamlı bir quruluş yaratmaq üçün filmin atomlarının substratın atomları ilə uyğunlaşdığı bir substratda nazik bir təbəqənin böyüməsi prosesidir.
LaAlO3 substratları elektronika, optoelektronika və bərk cisim fizikası kimi sahələrdə geniş istifadə olunur, burada nazik filmlər müxtəlif cihaz tətbiqləri üçün kritikdir.Unikal xassələri və bir çox müxtəlif materiallarla uyğunluğu onu bu sahələrdə tədqiqat və inkişaf üçün mühüm substrata çevirir.
Yüksək temperaturlu superkeçiricilərin tərifi
Yüksək temperaturlu superkeçiricilər (HTS) adi superkeçiricilərlə müqayisədə nisbətən yüksək temperaturda super keçiricilik nümayiş etdirən materiallardır.Ənənəvi superkeçiricilər sıfır elektrik müqaviməti göstərmək üçün çox aşağı temperatur tələb edir, adətən -200°C-dən (-328°F) aşağıdır.Bunun əksinə olaraq, HTS materialları -135°C (-211°F) və daha yüksək temperaturlarda superkeçiriciliyə nail ola bilir.
