GaAs Substrat
Təsvir
Qallium Arsenid (GaAs) mühüm və yetkin qrup III-Ⅴ mürəkkəb yarımkeçiricidir, optoelektronika və mikroelektronika sahəsində geniş istifadə olunur.GaAs əsasən iki kateqoriyaya bölünür: yarı izolyasiya edən GaAs və N tipli GaAs.Yarımizolyasiyalı GaAs əsasən radar, mikrodalğalı və millimetr dalğa rabitələrində, ultra yüksək sürətli kompüterlərdə və optik lif rabitələrində istifadə olunan MESFET, HEMT və HBT strukturları ilə inteqral sxemlərin hazırlanmasında istifadə olunur.N-tipli GaAs əsasən LD, LED, yaxın infraqırmızı lazerlər, kvant quyusu yüksək güclü lazerlər və yüksək effektiv günəş elementlərində istifadə olunur.
Xüsusiyyətlər
| Kristal | Doping | Keçirmə növü | Axınların konsentrasiyası sm-3 | Sıxlıq sm-2 | Artım metodu |
| GaAs | Heç biri | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs Substrat Tərifi
GaAs substratı qallium arsenid (GaAs) kristal materialından hazırlanmış substrata aiddir.GaAs qallium (Ga) və arsen (As) elementlərindən ibarət mürəkkəb yarımkeçiricidir.
GaAs substratları əla xüsusiyyətlərinə görə tez-tez elektronika və optoelektronika sahələrində istifadə olunur.GaAs substratlarının bəzi əsas xüsusiyyətləri bunlardır:
1. Yüksək elektron hərəkətliliyi: GaAs silikon (Si) kimi digər ümumi yarımkeçirici materiallardan daha yüksək elektron hərəkətliliyinə malikdir.Bu xüsusiyyət GaAs substratını yüksək tezlikli yüksək güclü elektron avadanlıq üçün uyğun edir.
2. Birbaşa zolaq boşluğu: GaAs birbaşa bant boşluğuna malikdir, yəni elektronlar və dəliklər yenidən birləşdikdə səmərəli işıq emissiyası baş verə bilər.Bu xüsusiyyət GaAs substratlarını işıq yayan diodlar (LED) və lazerlər kimi optoelektronik tətbiqlər üçün ideal edir.
3. Geniş bant boşluğu: GaAs silikondan daha geniş diapazona malikdir və bu, daha yüksək temperaturda işləməyə imkan verir.Bu xüsusiyyət GaAs əsaslı cihazların yüksək temperaturlu mühitlərdə daha səmərəli işləməsinə imkan verir.
4. Aşağı səs-küy: GaAs substratları aşağı səs-küy səviyyələri nümayiş etdirir, bu da onları aşağı səs-küy gücləndiriciləri və digər həssas elektron tətbiqlər üçün uyğun edir.
GaAs substratları yüksək sürətli tranzistorlar, mikrodalğalı inteqral sxemlər (IC), fotovoltaik hüceyrələr, foton detektorları və günəş batareyaları da daxil olmaqla elektron və optoelektronik cihazlarda geniş istifadə olunur.
Bu substratlar Metal Üzvi Kimyəvi Buxar Depoziti (MOCVD), Molekulyar Şüa Epitaksiyası (MBE) və ya Maye Faza Epitaksiyası (LPE) kimi müxtəlif üsullardan istifadə etməklə hazırlana bilər.İstifadə olunan spesifik böyümə üsulu istənilən tətbiqdən və GaAs substratının keyfiyyət tələblərindən asılıdır.
